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Compute Express Link 技术允许构建各种设备来处理大量工作负载，从扩展内存子系统容量和性能到提供超快速持久存储。作为全球领先的 NAND 内存制造商之一，Kioxia 可以解决后者。据ServeTheHome报道，最近，该公司在 2023 年闪存峰会上展示了其基于 3D NAND 和 XL-Flash 的 CXL 解决方案 。

Kioxia 透露计划提供两个 CXL 产品系列：基于 CXL + XL-Flash 的设备，用于以性能和可靠性为中心的应用程序，例如内存数据库和 AI 推理工作负载，以及基于 CXL + BiCS 3D NAND 的设备大数据和人工智能培训等容量需求大的应用程序。在这两种情况下，存储设备都使用特殊的控制器和 CXL.mem 协议进行读取，使用 CXL.io 协议进行写入，以最大限度地减少各自的延迟。

在演示方面，Kioxia 展示了一个基于 E1.S 外形尺寸的 1.3 TB CXL 1.1/CXL 2.0 BiCS 3D NAND 设备样本，该设备可以安装到 E3.S 机箱中以获得更高的性能/热容量。该设备使用 PCIe x4 接口(我们推测是 PCIe Gen5)，但 Kioxia 并未透露其性能特征，可能是因为开发尚未完成。

虽然通过 PCIe 接口使用基于 CXL 协议的低延迟 3D (TLC) NAND 设备似乎是一个非常合理的想法，但使用基于 XL-Flash 的存储设备有望更加富有成效，因为与商用 3D NAND 相比，XL-Flash 的性能更高。

Kioxia 专有的第一代 XL-Flash 本质上是分布在 16 个平面上的单级单元 (SLC) NAND，而第二代 XL-Flash 是分布在更多平面上的多级单元 (MLC) 闪存，根据定义，它可以提供读/写操作具有更低的延迟和更高的并行性，从而保证与主流 3D TLC NAND 相比大幅提高的性能。

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